Les relais haute tension (HT) à base d’IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) représentent une avancée technologique majeure dans le domaine de l’électronique de puissance et de la gestion des circuits électriques à haute tension. Grâce à leurs caractéristiques exceptionnelles, ces relais ont trouvé des applications dans divers secteurs, allant des systèmes de distribution d’énergie aux appareils industriels à haute performance. Cet article explore les principes de fonctionnement des relais HT à base d’IGBT, leurs avantages et leurs applications dans l’industrie moderne.
Principe de fonctionnement des relais HT à base d’IGBT Les relais HT à base d’IGBT utilisent un transistor bipolaire à grille isolée pour contrôler le passage du courant à travers un circuit à haute tension. L’IGBT combine les avantages des transistors bipolaires et des transistors à effet de champ (MOSFET), ce qui lui permet de gérer des courants élevés avec une efficacité remarquable. Contrairement aux relais mécaniques traditionnels, qui utilisent des contacts physiques pour établir une connexion, un relais basé sur l’IGBT fonctionne par un mécanisme électronique, ce qui le rend beaucoup plus rapide et plus fiable.